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2024-09-03
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ZGF系列直流高压发生器由中频逆变倍压整流电路，PWM脉宽调制芯片和高压大功率MOSFET器件组成，各项技术指标符合我国现行标准DL/T 848.1-2004《高压试验装置通用技术条件 第1部分：直流高压发生器》的要求。
2024-09-03
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ZGF系列直流高压发生器由中频逆变倍压整流电路，PWM脉宽调制芯片和高压大功率MOSFET器件组成，各项技术指标符合我国现行标准DL/T 848.1-2004《高压试验装置通用技术条件 第1部分：直流高压发生器》的要求。
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ZGF系列直流高压发生器由中频逆变倍压整流电路，PWM脉宽调制芯片和高压大功率MOSFET器件组成，各项技术指标符合我国现行标准DL/T 848.1-2004《高压试验装置通用技术条件 第1部分：直流高压发生器》的要求。
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ZGF系列直流高压发生器由中频逆变倍压整流电路，PWM脉宽调制芯片和高压大功率MOSFET器件组成，各项技术指标符合我国现行标准DL/T 848.1-2004《高压试验装置通用技术条件 第1部分：直流高压发生器》的要求。
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